SiNx:H、SiNxOy:H、SiOx:H系列薄膜（以下統(tǒng)一簡稱為：SiNxOy）是晶硅電池中性能優(yōu)異的減反射和鈍化薄膜。但用常規(guī)管式PECVD制備時(shí)，制備溫度須達(dá)到~400℃。這與異質(zhì)結(jié)(HJT)電池生產(chǎn)過程低溫的要求矛盾（高溫會(huì)破壞HJT核心層a-Si:H、μc-Si:H薄膜的質(zhì)量，從而大幅降低其光電轉(zhuǎn)換效率），這使其一直無法在HJT電池上應(yīng)用。

漢可公司通過多年研發(fā)，最終實(shí)現(xiàn)了利用板式熱絲CVD(HoFCVD)設(shè)備在低溫（室溫-200℃）下制備高質(zhì)量SiNxOy薄膜。同時(shí)，解決了鍍膜過程中N、O元素對(duì)熱絲腐蝕所造成的熱絲壽命下降的難題。另外，基于漢可的HoFCVD裝備，可以實(shí)現(xiàn)≤2000萬元/GW的生產(chǎn)成本（含自動(dòng)化），性價(jià)比優(yōu)勢(shì)顯著。

這一裝備和技術(shù)的成功，為HJT電池引入新的材料和結(jié)構(gòu)變化的可能性。舉例如下：

我們已經(jīng)成功的在TCO的表面和金屬柵線的表面實(shí)現(xiàn)了上述膜層的制備。結(jié)合電池實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析，總結(jié)其在HJT方面有如下優(yōu)勢(shì)：

① 提升ITO的減反射效果：設(shè)計(jì)合理的ITO/SiNxOy:H復(fù)合膜層，可以有效增加HJT輸出電流。同時(shí)，還可以減少50%以上高成本ITO的用量。如果結(jié)合超細(xì)、超密的電鍍銅柵線結(jié)構(gòu)，則可以進(jìn)一步減少ITO的消耗。

② 覆蓋在柵線表面，提升柵線的耐紫外線、耐水汽侵蝕效果：這一點(diǎn)對(duì)于目前HJT行業(yè)廣泛采用的銀包銅、銅漿、電鍍銅柵線尤為重要，有望徹底解決含銅柵線不耐氧化和水汽侵蝕的難題。

③ 提升抗紫外衰減: SiNxOy:H薄膜本身能夠吸收部分/全部紫外線，能夠有效提高HJT電池抗紫外衰減性能。

④ 覆蓋所有未被ITO覆蓋的區(qū)域，阻隔環(huán)境對(duì)a-Si:H/μc-Si:H薄膜和Si片的侵蝕。

成品電池片鍍不同膜厚SiNx的抗紫外衰減效果

抗紫外衰減測(cè)試結(jié)果表明，未鍍SiN_x的電池片（BL）衰減1.53%，鍍2nmSiNx的電池片衰減1.09%，鍍5nmSiNx的電池片衰減1%。因此，在成品電池片表面鍍一層SiNx可有效提升電池抗紫外衰減的效果。

將HoFCVD低溫甚至室溫制備的SiNx:H薄膜用作HJT制備流程中“背拋”工段的掩膜。由于HoFCVD制備的SiNxOy:H薄膜結(jié)構(gòu)致密、耐腐蝕性好，且鍍膜過程中無繞鍍，在有效保護(hù)正面不被腐蝕的同時(shí)，可以充分實(shí)現(xiàn)背面的完整拋光。此外，HoFCVD鍍膜過程中無粉塵、設(shè)備載板、防著板的清洗非常容易，可以大大改善生產(chǎn)的連續(xù)性，降低生產(chǎn)成本。公司針對(duì)SiNxOy:H薄膜的相關(guān)研發(fā)結(jié)果如下所示：

 綜上所述，漢可公司開發(fā)成功了低溫（室溫~200℃）制備SiNx:H和SiNxOy:H技術(shù)。基于此已經(jīng)開發(fā)嘗試了系列HJT量產(chǎn)新技術(shù)，可以提升HJT的光電轉(zhuǎn)換效率，減少ITO的用量50%以上，顯著提升電池的抗氧化、水汽的性能，減少衰減。隨著研究的深入，將開發(fā)出更多的應(yīng)用場(chǎng)景，助力異質(zhì)結(jié)電池性能的進(jìn)一步提升，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。